タングステン-チタン合金は、遷移金属のタングステンとチタンから合金化された材料です。密度と純度がさらに高く、耐食性が向上し、体積膨張が低いため、製造中の粒子の形成が効果的に減少し、高品質の薄膜の製造が可能になります。
タングステン-チタン合金ターゲットは粉末冶金技術を使用して製造され、半導体や薄膜太陽電池に広く使用されています。-半導体用途では、10wt% WTi 薄膜が拡散バリアおよび接着層として機能し、半導体からメタライゼーション層を分離します。たとえば、アルミニウムとシリコン、または銅とシリコンを分離します。これにより、マイクロチップ内の半導体の機能が大幅に向上します。 - 薄膜太陽電池では、10wt% WTi 膜は、鋼基板からの鉄原子がモリブデン バック コンタクトや CIGS 半導体に拡散するのを防ぐバリア層としても機能します。タングステン-チタン合金ターゲットは、LED やツールのコーティングにも使用されます。
新しい半導体チップの拡散バリアおよび接合層としてタングステン-チタン合金ターゲットを選択する主な理由は、合金の優れた表面密着性と放熱性により、製品の全体的な性能が向上するためです。
タングステン-チタンターゲットの準備方法
1. タングステン粉末とチタン粉末を一定量とり、不活性雰囲気下で均一に混合します。
2. 機械プレスまたは冷間静水圧プレスを使用して、得られた混合物をビレットにプレスします。
3. 得られたビレットを真空焼結炉に置き、緻密化と焼結を行います。
4. ステップ 3 で焼結したタングステン-チタン材料を冷却した後、非消耗品の真空アーク炉-で溶解して製品を取得します。
タングステン-チタンターゲットの利点
1. シンプルな製造プロセスと簡単な操作。
2. タングステン-チタン粉末混合物を利用し、プレス、焼結、アーク溶解を行うこのプロセスは、従来のタングステン-チタン合金製造の低効率、材料の均一性、不純物含有量の課題に効果的に対処します。
Our factory can produce WTi 90/10wt% and WTi 85/15wt% targets, and can also customize targets with special compositions. The actual target density is >99%、平均粒径は<100μm. With purity up to 4N5 and special annealing treatment, uniform grain size and low gas content, end users can obtain constant etching rates as well as high-purity and uniform thin film coatings during the PVD process.
